SK hynix, южнокорейская транснациональная полупроводниковая компания, недавно объявила о разработке первой в мире 300-слойной 3D-памяти NAND. Это достижение знаменует собой важную веху в развитии технологии памяти NAND и твердотельных накопителей (SSD). Ожидается, что новая технология увеличит емкость хранилища, снизит производственные затраты и повысит скорость работы, тем самым произведя революцию в приложениях для хранения данных.
Память 3D NAND — это тип энергонезависимой памяти, в которой ячейки памяти расположены вертикально в несколько слоев, а не просто горизонтально. В обычной двумерной (2D) NAND количество транзисторов, которые могут быть размещены на одном кристалле, ограничено. Однако технология 3D NAND позволяет размещать тысячи ячеек памяти вертикально, обеспечивая гораздо большую емкость при той же площади поверхности.
300-слойная архитектура SK hynix — это новейшая эволюция их 176-слойной технологии 3D NAND, инновационной технологии, которую они разработали в 2018 году. Это позволило компании разработать память NAND в два раза большей емкости, чем у предыдущего поколения, с увеличением выхода и улучшенной производительностью, и все это при том же размере чипа. Это большое достижение, учитывая, что обычная двумерная технология NAND может укладывать только около 100 слоев.
300-слойная технология стала возможной благодаря успешной интеграции сложной многослойной структуры с улучшенной конструкцией вспышки-ловушки заряда (CTF). Это уникальное сочетание инноваций позволяет памяти быстрее хранить и обрабатывать данные, потребляя меньше энергии, обеспечивая при этом высокую надежность в случае повреждения или потери данных.
Новый чип памяти 3D NAND идеально подходит для приложений массового хранения данных, таких как высококачественные твердотельные накопители, используемые в центрах обработки данных, ноутбуках и игровых консолях. Эти твердотельные накопители емкостью более терабайта (ТБ) обеспечивают достаточное пространство для хранения крупномасштабных баз данных, мультимедийного контента, изображений и видео. Кроме того, благодаря достижениям в технологии 300-слойной архитектуры они обеспечивают более высокую скорость чтения и записи, меньшую задержку и повышенную выносливость, позволяя приложениям загружаться быстрее и выполнять более отзывчиво.
300-слойная технология 3D NAND от SK hynix уже привлекла внимание других полупроводниковых компаний, которые работают над модернизацией собственной технологии памяти. Новая технология поможет стимулировать инновации, усилить конкуренцию и раздвинуть границы отрасли по всему миру.
300-слойный 3D-чип NAND-памяти SK hynix является одним из наиболее значительных достижений в технологии хранения данных. Эта технология обладает потенциалом для преобразования приложений хранения данных за счет увеличения емкости хранилища, снижения затрат и повышения скорости работы. Поскольку объем данных продолжает расти в геометрической прогрессии, спрос на более крупные и быстрые технологии, такие как SK hynix 3D NAND, будет продолжать расти.
